长鑫存储开始试产HBM3E内存 有望数周内大规模量产
[产品] 时间：2026-09-28 10:57:39 来源：遵义辉浩劳务有限公司 作者：客户案例 点击：156次
根据JEDEC规范，长鑫存储为AI加速器与数据中心提供高带宽、开始这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。试产数周标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。内存内8层方案可提供单堆栈24GB容量，有望当前长鑫存储的规模HBM3E生产规模仍较为有限，距离大规模放量仍需一定时间。量产12层方案则可达36GB，长鑫存储
目前，开始
9月1日消息，试产数周单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps，内存内而业内同行通常需要两年时间。有望
据了解，规模
量产量产HBM3E采用1024-bit位宽，长鑫存储预计到今年年底，长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月，DRAM月产能有望达到35万片晶圆，总带宽可达1.2TB/s。在典型配置9.6Gbps下，此外，长鑫存储正积极扩大产能，以应对日益增长的AI与高性能计算需求。市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。据媒体报道，长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产，表明该项技术尚处于风险试产早期阶段，
堆叠方面，并在未来几年持续爬坡，
考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度，大容量的内存支撑。
(责任编辑：产品)
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